BOSA با TEC CWDM

پارامتر

نماد

رتبه بندی ها

واحد

یادداشت ها

ولتاژ معکوس (LD)

Vr(LD)

2

V

CW

جریان رو به جلو (LD)

اگر (LD)

120

mA

CW

ولتاژ معکوس (MPD)

Vr(PD)

15

V

CW

جریان رو به جلو (MPD)

اگر (PD)

2

mA

CW

دمای ذخیره سازی

Tstg

-40~ +85

درجه

-

دمای عملیاتی

تاپر

-20~ +70

درجه

-

دما/زمان لحیم کاری سرب

Ts

260/10

درجه /S

-

قدرت عملکرد فیبر

-

1

کیلوگرم

-

شعاع خم فیبر

-

30

میلی متر

-

پارامتر

نماد

حداقل

تایپ کنید

حداکثر

واحد

شرایط تست

جریان آستانه

Ith

3

15

mA

CW، T{0}} درجه

50

mA

CW، T{0}} درجه

ولتاژ جلو

Vop

1.2

1.5

V

توان خروجی نوری

پو

2.1

3.0

میلی وات

CW، اگر =30mA

طول موج مرکز

λc

1607

1610

1613

نانومتر

CW، Po{0}} Pf

زمان طلوع/زمان پاییز
(20-80%)

Tr/Tf

0.2

0.5

ns

اگر=Ith،Po=Pf، 50 اهم

نظارت بر جریان

من

100

1000

uA

CW,Po{0}} Pf

ظرفیت

CPD

10

15

PF

VRD=5V,F=1MHz

جریان تاریک

شناسه

100

nA

VRD=5V

عرض طیفی (RMS-20dB)

△λ

0.32

0.5

نانومتر

CW، اگر =30mA

پهنای باند

BW

2

گیگاهرتز

بهره وری شیب

SE

0.09

W/A

CW اگر =Ith+20mA

خطای ردیابی

TE

-1.5

1.5

دسی بل

CW، من=مستمر و
اگر =Ith+20mA

انزوا

ISO

30

دسی بل

سرکوب حالت جانبی
جیره

SMSR

30

40

دسی بل

CW، اگر=Ith+20mA

TEC

Qmax

0.6

W

ایمکس

0.9

A

Vmax

1.2

V

T

40

K

مقاومت ترمیستور

Rth

9.9

kΩ

نویز با شدت نسبی

RIN

-134

dB/Hz

پارامتر

نماد

حداقل

تایپ کنید

حداکثر

واحد

شرایط تست

محدوده تشخیص
Iso(1525&1575>20dB)

λ

1540

1550

1560

نانومتر

پاسخگویی

Res

0.80

0.85

A/W

VR=5V، λ=1550 نانومتر

جریان تاریک

شناسه

1.0

nA

VR=5V,25 درجه

پهنای باند (-3dB)

BW

2.0

گیگاهرتز

تطبیق 50 اهم

قدرت اشباع

P

3

dBm

ظرفیت

C

-

0.6

1.0

pF

VR=5V

زمان ظهور و سقوط

Tr/Tf

-

0.1

-

ns

RL{0}}Ω

IMD2

IMD2

-

-70

-

dBc

λ=1550 نانومتر، (1*)

IMD3

IMD3

-

-80

-

dBc

λ=1550nm، (1*)

ولتاژ معکوس

VR

-

-

30

V

ضرر برگشتی

RL

40

-

-

دسی بل

λ=1550nm