1310 نانومتری DFB GPON ONU BOSA

پارامتر

نماد

حداقل

تایپ کنید

حداکثر

واحد

دمای ذخیره سازی

Tstg

-40

+85

درجه

دمای کیس عملیاتی

تاپر

-20

+70

درجه

جریان مستقیم رو به جلو (LD)

اگر (LD)

100

mA

ولتاژ معکوس (LD)

Vr(LD)

2

V

جریان رو به جلو (MPD)

اگر (PD)

2

mA

ولتاژ معکوس (MPD)

Vr(PD)

15

V

لحیم کاری سرب (دما)/(زمان)

-

260/10 یا 360/5

درجه / ثانیه

رطوبت نسبی ذخیره سازی

RH

5

95

%

LD TO-میتوان و مجلس مسکن
نیروی کششی

-

30

KG

سنجاق-TIA TO-CAN&Housing Assembly
نیروی کششی

Tstd

15

KG

نیروی برشی فرول

-

30

KG

پارامتر

نماد

حداقل

تایپ کنید

حداکثر

واحد

شرایط تست

طول موج مرکز

λc

1300

1310

1320

نانومتر

CW، اگر=Ith+20mA

جریان آستانه

Ith

3

8

15

mA

CW، T{0}} درجه

-

25

35

mA

CW، T{0}} درجه

ولتاژ جلو

Vop

-

1.2

1.6

V

توان خروجی نوری

Pf

1.5

-

3.0

میلی وات

CW، اگر=Ith+20mA، T=25 درجه

0.9

-

-

CW، اگر=Ith+20mA، T=70 درجه

زمان طلوع/زمان پاییز
(20-80%)

Tr/Tf

-

0.1

0.2

ns

Po{0}}Pf، 50 اهم

نظارت بر جریان

من

100

-

1000

uA

CW، اگر=Ith+20mA

جریان تاریک

شناسه

-

-

100

nA

VRD=5V

عرض طیفی (RMS-20dB)

△λ

-

0.5

1

نانومتر

CW، اگر=Ith+20mA

بهره وری شیب

SE

0.07

-

-

W/A

CW، اگر=Ith+20mA

خطای ردیابی

TE

-1.5

-

1.5

دسی بل

درجه T{0}}

پارامتر

نماد

حداقل

تایپ کنید

حداکثر

واحد

شرایط تست

طول موج عملیاتی

λ

1480

1490

1500

نانومتر

ولتاژ تغذیه TIA

VCC

3.0

3.3

3.6

V

جریان عرضه

ICC

20

30

mA

ولتاژ بازیابی

Vbr

40

-

55

V

شناسه=10uA، VCC=3.3V

پهنای باند (نقطه 3dB)

BW

-

1.5

-

گیگاهرتز

مقاومت خروجی

روت کردن

-

50

-

اهم

تک به پایان رسید

حساسیت

سن

-

-

-32

dBm

BER10-10@2.5Gbps،
ER{0}}dB،PRBS=223-1،

تداخل نوری از
لیزر داخلی

Xopt

-

-

-40

دسی بل

جداسازی نوری از
منبع خارجی

ISO

25

دسی بل

λ{0}}~1360 نانومتر

35

دسی بل

λ{0}}~1650 نانومتر

BLBD

-X

-X

X

/X

X

-X

(X)

BOSA

1.25G

1310

FP

1550

PT:PIN-TIA

SC

2.5G

1550

DFB

1310

APT:APD-TIA

LC

10G

SPT:Super-TIA

SC/PC

PD:PIN-PD

LC/PC

N (هیچ)